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九游品牌新一代微沟槽技术1200V IGBT芯片研发成功
九游品牌半导体 九游品牌半导体 Loading... 2020-09-18

在区别的适用邻域情况下,供电装换装备中对输出集成电路芯片特质应该有的差异。在一些 主机电源类邻域中,应该提供载波概率来推广一小部分装置的耐腐蚀性及优势可言,因此对输出集成电路芯片的新动态展示耐腐蚀性有较高规范必须;一些 同步电机的win7驱使邻域中,一些 的载波概率满足,会不会对呈现饱和状态压降、不导通耐量等特质有较高规范必须。故区别的适用邻域邻域对集成电路芯片制作时某项叁数推广的初始值级略有不同的;同步电机的win7驱使邻域,对集成电路芯片新动态展示特质的关键性有点弱化;减低静止衰减成了了输出半导体芯片的推广的关键。

九游品牌新第七代1200V IGBT存储芯片开发成功创业

九游品牌半导体采用最新一代的微沟槽(MPT)的IGBT技术,结构上进行精密化设计,PITCH达到1um量级;其次,还能够实现发射极沟槽和伪栅极。一方面,由于器件输出特性曲线更陡,可降低静态损耗;另一方面,增加的无效沟道密度减少了有效导电沟道的数量,因此并不会过渡削弱其短路耐量。通过增加有源栅极密度,能够增加单位芯片面积上的导电沟道,饱和压降、动态损耗可降低20%左右


XINER MPT产品封装品


XINER MPT成品冗余基本参数@40A

类型

VTH(V)

VCESAT(V)

VF(V)

CIES(nF)

COES(pF)

CRES(pF)

K40T*****

5.65

1.87

1.68

2.3

216

127

XNS40N120T

5.81

1.39

2.06

5.49

177

44.6

新动态波型



虚接正弦波形


XINER MPT产品设备动态性性能参数

检查的条件:Vcc=600V,Ic=40A,Rg=20ohm,Cge=0

尺寸

Esw

(mJ)

Eon (mJ)

dv/dt-on (v/ns)

di/dt-on

(A/us)

Eoff

 (mJ)

dv/dt-off (v/ns)

di/dt-off

(A/us)

XNS40N120T

8.6

5.2

1.6

362

3.4

4.77

250

K40T*****

10.4

5.6

1.26

387

4.8

3.63

151

从物料的静动向各种测试会分辨出,过饱和压降相对于K企业产品降底了25%以上,动态信息消耗有效降低了18%左古,但是10uS的发生故障耐量也可以够要确保。

变频柜器测评



变频柜器湿度数据资料

380VAC/7.5KW交流abb变频器/17ARMS负债/fsw=5Khz

探测器

XNS40N120T

K40T*****

UH(℃)

58.2

68.6

UL(℃)

58

67

WH(℃)

61

67

VL(℃)

59

67.5

水冷散热器片(℃)

55

63

环温(℃)

28


2.5倍过流额定负载考试

在7.5KW变频式器积极进取行自测证实,各负荷下弧形良好的,载重情况时厂品表层平均温度因素可拉低6-10℃,治疗效果特别很明显。不足的拉低,有没有利消费者缩小到风扇散热片体型大小,可以提供系統电率比热容;或可拉低厂品工做平均温度因素增加其可信性和延长时间蓄电量,增加系統的的环境的承受作用。

随新新一批为先进集成块创新出色,下一大步XINER会紧紧抓住時间为其批处理化、系列的化做足操作。赶快为德国进口IGBT配件的技木游戏更新成就本人的一件魔力。


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