DIP29 IPM结构特征与优点:


| 产品型号 |
电压 (V) |
电流 (A) |
绝缘耐压 (KV) |
优化 开关 (KHz) |
器件 |
推荐功率 (W) |
热接口 |
自举 二极管 |
欠压 保护 |
过流 保护 |
温度 输出 |
互锁 |
RDS(on)(Typ) (Ω) |
VF (Typ) (V) |
Rth (j-c)(Max) (℃/W) |
|
VCE (SAT)(Typ) (V) |
|||||||||||||||
| XNS30S12E6 | 600 | 30 | 2.5 | 20 | IGBT | 3000 | DBC | 是 | 是 | 是 | VOT | 是 | 1.6 | 1.5 | 1.1 |
| XNS40S12E6 | 600 | 40 | 2.5 | 20 | IGBT | 4000 | DBC | 是 | 是 | 是 | VOT | 是 | 1.7 | 1.6 | 1 |
| XNS50S12E6 | 600 | 50 | 2.5 | 20 | IGBT | 5000 | DBC | 是 | 是 | 是 | VOT | 是 | 1.8 | 1.8 | 0.8 |
| XNS10S12FT | 1200 | 10 | 2.5 | 20 | IGBT | 2000 | DBC | 是 | 是 | 是 | NTC | 是 | 2 | 2 | 1.3 |
| XNS15S12FT | 1200 | 15 | 2.5 | 20 | IGBT | 2500 | DBC | 是 | 是 | 是 | NTC | 是 | 2.1 | 2.2 | 1.3 |
| XNS25S12FT | 1200 | 25 | 2.5 | 20 | IGBT | 4000 | DBC | 是 | 是 | 是 | NTC | 是 | 2 | 2 | 0.9 |
| XNC20S12FT | 1200 | 20 | 2.5 | 20 | SiC-MOSFET | 2500 | DBC | 是 | 是 | 是 | NTC | 是 | 80mΩ | 3 | 1.3 |